RU30L40M3 - описание и поиск аналогов

 

RU30L40M3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU30L40M3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: DFN3030

Аналог (замена) для RU30L40M3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU30L40M3 даташит

 ..1. Size:678K  ruichips
ru30l40m3.pdfpdf_icon

RU30L40M3

RU30L40M3 P-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description -30V/-40A, RDS (ON) =6.5m (Typ.)@VGS=-10V G S S RDS (ON) =9.5m (Typ.)@VGS=-4.5V S Uses Ruichips advanced TrenchTM technology D Excellent QgxRDS(on) product(FOM) Reliable and Rugged DD D D 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) PIN1 DFN3030 Appli

 6.1. Size:751K  ruichips
ru30l40m-c.pdfpdf_icon

RU30L40M3

RU30L40M-C P-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description -30V/-40A, RDS (ON) =5.2m (Typ.)@VGS=-10V G S S RDS (ON) =7.5m (Typ.)@VGS=-4.5V S Uses Ruichips advanced TrenchTM technology D Excellent QgxRDS(on) product(FOM) Low On-Resistance DD D D ESD protected 100% avalanche tested PIN1 Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant) DFN506

 9.1. Size:307K  ruichips
ru30l15h.pdfpdf_icon

RU30L40M3

RU30L15H P-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description -30V/-14.5A, RDS (ON) =13m (Typ.) @ VGS=-10V RDS (ON) =22m (Typ.) @ VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged ESD Protected SOP-8 Lead Free and Green Available Applications Load Switching. PWM Applications. P-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol

 9.2. Size:270K  ruichips
ru30l30m.pdfpdf_icon

RU30L40M3

RU30L30M P-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description -30V/-30A, RDS (ON) =12m (Typ.)@VGS=-10V RDS (ON) =20m (Typ.)@VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche tested PDFN3333 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Power Management Load Switching P-Channel MOSFET Absolute

Другие MOSFET... RU3030M3 , RU3040M3 , RU3070M3 , RU30C20M3 , RU30C30M , RU30C40M3 , RU30J30M3 , RU30L30M3 , IRFB31N20D , RU30L40M-C , RU30P40M3 , RU40120L , RU40180R , RU4030M3 , RU40C20M3 , RU40C40M , RU40L60L .

History: SI2336DS

 

 

 

 

↑ Back to Top
.