RU40120L - описание и поиск аналогов

 

RU40120L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU40120L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 208 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 745 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для RU40120L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU40120L даташит

 ..1. Size:322K  ruichips
ru40120l.pdfpdf_icon

RU40120L

RU40120L N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 40V/120A, D RDS (ON) =2.8m (Typ.)@VGS=10V Uses Ruichips advanced TrenchTM technology Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G S TO252 D Applications

 7.1. Size:301K  ruichips
ru40120r.pdfpdf_icon

RU40120L

RU40120R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 40V/120A, RDS (ON) =3.5m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-220 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC-DC Converters Power Supply N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Paramete

 7.2. Size:322K  ruichips
ru40120s.pdfpdf_icon

RU40120L

RU40120S N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 40V/120A, D RDS (ON) =3.5m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G S TO263 D Applications DC-DC Converters G S N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating U

 7.3. Size:297K  ruichips
ru40120m.pdfpdf_icon

RU40120L

RU40120M N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 40V/120A, RDS (ON) =2.7m (Typ.)@VGS=10V D D D D Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance Fast Switching Speed 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G S S S PIN1 PIN1 PDFN5060 D Applications DC/DC Converters Power Supply G

Другие MOSFET... RU30C20M3 , RU30C30M , RU30C40M3 , RU30J30M3 , RU30L30M3 , RU30L40M3 , RU30L40M-C , RU30P40M3 , 7N60 , RU40180R , RU4030M3 , RU40C20M3 , RU40C40M , RU40L60L , RU40L60M , RU4N65P , RU6035M3 .

History: SE6880A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.