RUH30J105M - описание и поиск аналогов

 

RUH30J105M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RUH30J105M

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1860 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: DFN5060

Аналог (замена) для RUH30J105M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RUH30J105M даташит

 ..1. Size:286K  ruichips
 ruh30j105m.pdf pdf_icon

RUH30J105M

RUH30J105M Dual Asymmetric N-Channel MOSFET Features Pin Description Die 1 30V/30A RDS (ON) =6m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =9m (Typ.)@VGS=4.5V Die 2 30V/120A RDS (ON) =2.2m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =3.0m (Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Uses Ruichips advanced SGT technology 100% avalanche tested PIN1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Com

 7.1. Size:716K  ruichips
 ruh30j120m.pdf pdf_icon

RUH30J105M

RUH30J120M Dual Asymmetric N-Channel MOSFET Features Pin Description Die 1 30V/50A RDS (ON) =3.8m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =5.5m (Typ.)@VGS=4.5V Die 2 30V/120A RDS (ON) =2.2m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =3.0m (Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Uses Ruichips advanced SGT technology 100% avalanche tested PIN1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS

 8.1. Size:286K  ruichips
 ruh30j85m.pdf pdf_icon

RUH30J105M

RUH30J85M Dual Asymmetric N-Channel MOSFET Features Pin Description Die 1 30V/30A RDS (ON) =6m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =9m (Typ.)@VGS=4.5V Die 2 30V/90A RDS (ON) =3.5m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =5m (Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Uses Ruichips advanced SGT technology 100% avalanche tested PIN1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Complia

 8.2. Size:286K  ruichips
 ruh30j95m.pdf pdf_icon

RUH30J105M

RUH30J95M Dual Asymmetric N-Channel MOSFET Features Pin Description Die 1 30V/30A RDS (ON) =6m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =9m (Typ.)@VGS=4.5V Die 2 30V/90A RDS (ON) =2.8m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =4.2m (Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Uses Ruichips advanced SGT technology 100% avalanche tested PIN1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compl

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RUH1H220R , RUH1H220S , RUH1H300T , RUH3025M3 , RUH3030M3 , RUH3051M , RUH3090M , RUH3090M3-C , 7N65 , RUH30J120M , RUH30J51M , RUH30J85M , RUH30J95M , RUH40190M , RUH4022M3 , RUH4025M3 , RUH40300T .

History: KDS8928A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.