RUH30J105M - аналоги и даташиты транзистора

 

RUH30J105M - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RUH30J105M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1860 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: DFN5060
 

 Аналог (замена) для RUH30J105M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RUH30J105M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:286K  ruichips
 ruh30j105m.pdf pdf_icon

RUH30J105M

RUH30J105MDual Asymmetric N-Channel MOSFETFeatures Pin Description Die 1 30V/30ARDS (ON) =6m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =9m(Typ.)@VGS=4.5V Die 2 30V/120ARDS (ON) =2.2m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =3.0m(Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Uses Ruichips advanced SGT technology 100% avalanche testedPIN1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Com

 7.1. Size:716K  ruichips
 ruh30j120m.pdf pdf_icon

RUH30J105M

RUH30J120MDual Asymmetric N-Channel MOSFETFeatures Pin Description Die 1 30V/50ARDS (ON) =3.8m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =5.5m(Typ.)@VGS=4.5V Die 2 30V/120ARDS (ON) =2.2m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =3.0m(Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Uses Ruichips advanced SGT technology 100% avalanche testedPIN1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS

 8.1. Size:286K  ruichips
 ruh30j85m.pdf pdf_icon

RUH30J105M

RUH30J85MDual Asymmetric N-Channel MOSFETFeatures Pin Description Die 1 30V/30ARDS (ON) =6m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =9m(Typ.)@VGS=4.5V Die 2 30V/90ARDS (ON) =3.5m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =5m(Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Uses Ruichips advanced SGT technology 100% avalanche testedPIN1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Complia

 8.2. Size:286K  ruichips
 ruh30j95m.pdf pdf_icon

RUH30J105M

RUH30J95MDual Asymmetric N-Channel MOSFETFeatures Pin Description Die 1 30V/30ARDS (ON) =6m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =9m(Typ.)@VGS=4.5V Die 2 30V/90ARDS (ON) =2.8m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =4.2m(Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Uses Ruichips advanced SGT technology 100% avalanche testedPIN1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compl

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RUH1H220R , RUH1H220S , RUH1H300T , RUH3025M3 , RUH3030M3 , RUH3051M , RUH3090M , RUH3090M3-C , STP75NF75 , RUH30J120M , RUH30J51M , RUH30J85M , RUH30J95M , RUH40190M , RUH4022M3 , RUH4025M3 , RUH40300T .

History: APT8011JFLL | IPI50R299CP | CS8N50A8R | IRFSL3206PBF | OSG65R460AZF | OSG65R380FZF | 2N4360

 

 
Back to Top

 


 
.