RUH60120L - описание и поиск аналогов

 

RUH60120L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RUH60120L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 202 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 202 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 49 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 735 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для RUH60120L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RUH60120L даташит

 ..1. Size:321K  ruichips
 ruh60120l.pdf pdf_icon

RUH60120L

RUH60120L N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/120A, D RDS (ON) =3.2m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =3.6m (Typ.)@VGS=4.5V Uses Ruichips Advanced RUISGTTM Technology Ultra Low On-Resistance Excellent QgxRDS(on) Product 100% Avalanche Tested 175 C Operating Temperature G Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant) S TO252 D Appli

 6.1. Size:283K  ruichips
 ruh60120m.pdf pdf_icon

RUH60120L

RUH60120M N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/120A, RDS (ON) =4m (Typ.)@VGS=10V G RDS (ON) =4.5m (Typ.)@VGS=4.5V S S S Uses Ruichips Advanced RUISGTTM Technology D Low Gate Charge Minimizing Switching Loss Ultra Low On-Resistance DD Excellent QgxRDS(on) product(FOM) DD 100% Avalanche Tested PIN1 Lead Free and Green Devic

 8.1. Size:384K  ruichips
 ruh60100m.pdf pdf_icon

RUH60120L

RUH60100M N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/100A, RDS (ON) =2.6m (Typ.)@VGS=10V D D D D RDS (ON) =3.6m (Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Fast Switching Speed 100% avalanche tested G Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S S S PIN1 PIN1 PDFN5060 D Applications LED backlighting On board power

 9.1. Size:225K  ruichips
 ruh6080m3-c.pdf pdf_icon

RUH60120L

RUH6080M3-C N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/80A, RDS (ON) =5.3m (Typ.)@VGS=10V D D D RDS (ON) =6.5m (Typ.)@VGS=4.5V D Uses Ruichips Advanced RUISGTTM Technology Low Gate Charge Minimizing Switching Loss G Ultra Low On-Resistance S S Excellent QgxRDS(on) product(FOM) S 100% Avalanche Tested PIN1 Lead Free and Green De

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RUH40190M , RUH4022M3 , RUH4025M3 , RUH40300T , RUH40330T , RUH4040M3 , RUH40D40M , RUH40E12C , IRFP260 , RUH60120M , RUH6080M3-C , RUH6080R , RUH60D60M , RUH85100M-C , RUH85120M-C , RUH85120S , RUH85150R .

History: STH410N4F7-2AG | CM7N60F | 2SK3340N

 

 

 

 

↑ Back to Top
.