Справочник MOSFET. H6N70F

 

H6N70F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: H6N70F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 16 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для H6N70F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H6N70F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:409K  cn haohai electr
 h6n70p h6n70f.pdf pdf_icon

H6N70F

6N70 SeriesN-Channel MOSFET6A, 700V, N H FQP6N70C H6N70P P: TO-220ABHAOHAI 50Pcs 1000Pcs 5000Pcs6N70FQPF6N70C H6N70F F: TO-220FP6N70 Series Pin AssignmentFeaturesID=6AOriginative New DesignBVD

 9.1. Size:935K  samsung
 ssh6n70a.pdf pdf_icon

H6N70F

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 700 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 1.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 700V Low RDS(ON) : 1.552 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Value

 9.2. Size:375K  cn haohai electr
 h6n70u h6n70d.pdf pdf_icon

H6N70F

6N70 SeriesN-Channel MOSFET6A, 700V, N H FQU6N70C H6N70U U: TO-251 80/ 4Kpcs/ 24KpcsHAOHAI6N70FQD6N70C H6N70D D: TO-252 25Kpcs 2.5K/ 5Kpcs/6N70 Series Pin AssignmentAPPLICATIONID=6A

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRFP4668

 

 
Back to Top

 


 
.