2SK3134. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK3134

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 370 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1550 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: LDPAK

Аналог (замена) для 2SK3134

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK3134 даташит

 ..1. Size:94K  renesas
2sk3134.pdfpdf_icon

2SK3134

2SK3134(L), 2SK3134(S) Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching REJ03G1066-0400 (Previous ADE-208-721B) Rev.4.00 Sep 07, 2005 Features Low on-resistance RDS(on) = 4 m typ. Low drive current 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Outline RENESAS Package code PRSS0004AE-A RENESAS Package code PRSS0004AE-B (Package name LDPAK(L

 0.1. Size:108K  renesas
rej03g1066 2sk3134lsds.pdfpdf_icon

2SK3134

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

 0.2. Size:282K  inchange semiconductor
2sk3134l.pdfpdf_icon

2SK3134

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3134L FEATURES Drain Current I = 75A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 30V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 10m (Max)@VGS= 10V DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid dr

 0.3. Size:356K  inchange semiconductor
2sk3134s.pdfpdf_icon

2SK3134

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3134S FEATURES Drain Current I = 75A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 30V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 10m (Max)@VGS= 10V DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid dr

Другие IGBT... 2SK2980, 2SK3000, 2SK3069, 2SK3070, 2SK3080, 2SK3081, 2SK3082, 2SK3133, IRFB31N20D, 2SK3135, 2SK3136, 2SK3140, 2SK3141, 2SK3142, 2SK3147, 2SK3148, 2SK3149