Справочник MOSFET. HPP045N03CTA

 

HPP045N03CTA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HPP045N03CTA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 81 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 45 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 327 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для HPP045N03CTA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HPP045N03CTA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:523K  cn haohai electr
 hpd045n03cta hpp045n03cta.pdf pdf_icon

HPP045N03CTA

HPD045N03CTA (TO-252)HAOHAI ELECTRONICSHPP045N03CTA (TO-220)Product Summary90A, 30VVDSV30N-CHANNEL POWER MOSFETRDS(ON) Max.4.5 mFeaturesAdvanced process technologyID90 AUltra low On-Resistance175 OperatingTemperatureFast Switching2.DrainRepetitiveAvalancheAllowed up toTjmaxLead-FreeDD1.GateDGSGTO-252DS TO-220DPAK3.SourceOR

Другие MOSFET... HNM2302ALB , HNM7002 , HNM7002E , HPB068NE7STA , HPD025N03STA , HPD026N02STA , HPD032N02STA , HPD045N03CTA , IRF640N , HPD160N06STA , HPD180PNE1DTA , HPD4004STA , HPD4006CTA , HPB400N06CTA , HPP400N06CTA , HPM2301 , HPM2305 .

History: 2SK2377 | DMU4523D

 

 
Back to Top

 


 
.