HPP400N06CTA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HPP400N06CTA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13 nC
trⓘ - Время нарастания: 3.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для HPP400N06CTA
HPP400N06CTA Datasheet (PDF)
hpd4006cta hpb400n06cta hpp400n06cta.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
HPD4006CTATO-252HPB400N06CTATO-263HAOHAI ELECTRONICSHPP400N06CTATO-220Product Summary27A, 60VVDS60 VN-CHANNEL POWER MOSFETRDS(ON) Max.40 mFeaturesAdvanced process technologyID27 AUltra low On-Resistance175 OperatingTemperatureFast Switching2.DrainRepetitiveAvalancheAllowed up toTjmaxLead-Free221.Gate1 1123 33TO-2
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
![HPP400N06CTA](https://alltransistors.com/images/us.png)
![HPP400N06CTA](https://alltransistors.com/images/es.png)
![HPP400N06CTA](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100