HPMB84A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HPMB84A
Маркировка: B84
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.225 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.13 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 1 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.4 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
HPMB84A Datasheet (PDF)
..1. Size:691K cn haohai electr
hpmb84a.pdf
hpmb84a.pdf
HAOHAI ELECTRONICS HPMB84AP-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplicationVDS=-50V, ID=-0.13ALoad SwitchRDS(ON)
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918