Справочник MOSFET. NCE20ND06

 

NCE20ND06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NCE20ND06
   Маркировка: 20ND06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8

 Аналог (замена) для NCE20ND06

 

 

NCE20ND06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:322K  ncepower
 nce20nd06.pdf

NCE20ND06 NCE20ND06

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE20ND06NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE20ND06 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. Schematic diagram General Features V

 6.1. Size:754K  ncepower
 nce20nd07u.pdf

NCE20ND06 NCE20ND06

http://www.ncepower.comNCE20ND07UNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETGeneral FeaturesDescription V = 20V,I =7ADS DThe NCE20ND07U uses advanced trench technology and designR

 6.2. Size:640K  ncepower
 nce20nd08u.pdf

NCE20ND06 NCE20ND06

NCE20ND08Uhttp://www.ncepower.comNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE20ND08U uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. ItDS(ON)can be used in a wide variety of applications.General Features V =20V,I =12ADS DR

 7.1. Size:650K  ncepower
 nce20nd15q.pdf

NCE20ND06 NCE20ND06

NCE20ND15Qhttp://www.ncepower.comNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE20ND15Q uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. ItDS(ON)can be used in a wide variety of applications.It is ESDprotected.General Features V =20V,I =15ADS DR = 3.6m @ V =4.5VDS(ON) GSSchematic diagramR = 3.7m @ V =4VDS

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top