BL20N60-P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BL20N60-P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 255 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для BL20N60-P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BL20N60-P даташит

 ..1. Size:1053K  belling
 bl20n60-p bl20n60-a bl20n60-w bl20n60-f.pdf pdf_icon

BL20N60-P

BL20N60 Power MOSFET 1 Description Step-Down Converter BL20N60, the silicon N-channel Enhanced , MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Pa

 8.1. Size:923K  belling
 bl20n65-p bl20n65-a bl20n65-w bl20n65-f.pdf pdf_icon

BL20N60-P

BL20N65 Power MOSFET 1 Description Step-Down Converter BL20N65, the silicon N-channel Enhanced , MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Pa

 9.1. Size:197K  ixys
 ixbl20n300c.pdf pdf_icon

BL20N60-P

 9.2. Size:1563K  belling
 bl20n50-p bl20n50-a bl20n50-w bl20n50-k.pdf pdf_icon

BL20N60-P

BL20N50 Power MOSFET 1 Description BL20N50, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 500

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BL19N40-A, BL19N40-P, BL20N50-A, BL20N50-K, BL20N50-P, BL20N50-W, BL20N60-A, BL20N60-F, IRFB7545, BL20N60-W, BL20N65-A, BL20N65-F, BL20N65-P, BL20N65-W, BL23N50-A, BL23N50-K, BL23N50-P