BL20N65-P. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BL20N65-P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 85 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.46 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для BL20N65-P
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
BL20N65-P даташит
bl20n65-p bl20n65-a bl20n65-w bl20n65-f.pdf
BL20N65 Power MOSFET 1 Description Step-Down Converter BL20N65, the silicon N-channel Enhanced , MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Pa
bl20n60-p bl20n60-a bl20n60-w bl20n60-f.pdf
BL20N60 Power MOSFET 1 Description Step-Down Converter BL20N60, the silicon N-channel Enhanced , MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Pa
bl20n50-p bl20n50-a bl20n50-w bl20n50-k.pdf
BL20N50 Power MOSFET 1 Description BL20N50, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 500
Другие IGBT... BL20N50-P, BL20N50-W, BL20N60-A, BL20N60-F, BL20N60-P, BL20N60-W, BL20N65-A, BL20N65-F, RU7088R, BL20N65-W, BL23N50-A, BL23N50-K, BL23N50-P, BL23N50-W, BL25N40-A, BL25N40-F, BL25N40-P
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUP060N055 | AUP056N10 | AUP056N08BGL | AUP052N085 | AUP045N12 | AUP039N10 | AUP034N10 | AUP034N06 | AUP033N08BG | AUP026N085 | AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10
Popular searches
c2274 transistor | c5200 2sc5200 transistor datasheet | d2390 datasheet | 2sa750 replacement | 2sc984 replacement | a1046 transistor | hy19p03 | 2sk2749




