BL33N25-P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BL33N25-P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 198 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 465 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для BL33N25-P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BL33N25-P даташит

 ..1. Size:862K  belling
 bl33n25-p bl33n25-a.pdf pdf_icon

BL33N25-P

BL33N25 Power MOSFET 1 Description Step-Down Converter BL33N25, the silicon N-channel Enhanced , MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Pa

Другие IGBT... BL30N30-P, BL30N50-F, BL30N50-W, BL30N60-F, BL30N60-W, BL30N65-F, BL30N65-W, BL33N25-A, IRFP250N, BL3N100-A, BL3N100-D, BL3N100E-A, BL3N100E-D, BL3N100E-P, BL3N100E-U, BL3N100-P, BL3N100-U