BL3N90E-P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BL3N90E-P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 47 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для BL3N90E-P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BL3N90E-P даташит

 ..1. Size:965K  belling
 bl3n90e-p bl3n90e-a bl3n90e-u bl3n90e-d.pdf pdf_icon

BL3N90E-P

BL3N90E Power MOSFET 1 Description Step-Down Converter BL3N90E, the silicon N-channel Enhanced , MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Par

 8.1. Size:973K  belling
 bl3n90-p bl3n90-a bl3n90-u bl3n90-d.pdf pdf_icon

BL3N90E-P

BL3N90 Power MOSFET 1 Description Step-Down Converter BL3N90, the silicon N-channel Enhanced , MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Param

Другие IGBT... BL3N150-F, BL3N150-K, BL3N150-P, BL3N150-W, BL3N90-A, BL3N90-D, BL3N90E-A, BL3N90E-D, AON6380, BL3N90E-U, BL3N90-P, BL3N90-U, BL40N25-F, BL40N25-W, BL40N30L-F, BL40N30L-W, BL4N150-A