Справочник MOSFET. BL40N30L-F

 

BL40N30L-F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BL40N30L-F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 620 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для BL40N30L-F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BL40N30L-F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1416K  belling
 bl40n30l-f bl40n30l-w.pdf pdf_icon

BL40N30L-F

BL40N30L Power MOSFET 1Description Step-Down Converter BL40N30L, the silicon N-channel Enhanced , MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS

 9.1. Size:1413K  belling
 bl40n25-f bl40n25-w.pdf pdf_icon

BL40N30L-F

BL40N25 Power MOSFET 1Description Step-Down Converter BL40N25, the silicon N-channel Enhanced , MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Pa

Другие MOSFET... BL3N90E-A , BL3N90E-D , BL3N90E-P , BL3N90E-U , BL3N90-P , BL3N90-U , BL40N25-F , BL40N25-W , IRF1407 , BL40N30L-W , BL4N150-A , BL4N150-B , BL4N150-F , BL4N150-K , BL4N150-P , BL4N150-W , BL4N60A-A .

History: 2SJ687 | PSMN4R3-80ES | AP9467AGM-HF | 2SK1348 | CED6056 | 2SK529 | HM2N10MR

 

 
Back to Top

 


 
.