BL40N30L-W datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BL40N30L-W  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 620 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm

Тип корпуса: TO-3PN

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для BL40N30L-W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BL40N30L-W даташит

 ..1. Size:1416K  belling
 bl40n30l-f bl40n30l-w.pdf pdf_icon

BL40N30L-W

BL40N30L Power MOSFET 1 Description Step-Down Converter BL40N30L, the silicon N-channel Enhanced , MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS

 9.1. Size:1413K  belling
 bl40n25-f bl40n25-w.pdf pdf_icon

BL40N30L-W

BL40N25 Power MOSFET 1 Description Step-Down Converter BL40N25, the silicon N-channel Enhanced , MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Pa

Другие IGBT... BL3N90E-D, BL3N90E-P, BL3N90E-U, BL3N90-P, BL3N90-U, BL40N25-F, BL40N25-W, BL40N30L-F, TK10A60D, BL4N150-A, BL4N150-B, BL4N150-F, BL4N150-K, BL4N150-P, BL4N150-W, BL4N60A-A, BL4N60A-D