BL4N150-K - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BL4N150-K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.5 Ohm
Тип корпуса: TO-3PF
Аналог (замена) для BL4N150-K
BL4N150-K Datasheet (PDF)
bl4n150-p bl4n150-a bl4n150-w bl4n150-k bl4n150-f bl4n150-b.pdf

BL4N150 Power MOSFET 1Description Step-Down Converter BL4N150, the silicon N-channel Enhanced , MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Pa
Другие MOSFET... BL3N90-U , BL40N25-F , BL40N25-W , BL40N30L-F , BL40N30L-W , BL4N150-A , BL4N150-B , BL4N150-F , STF13NM60N , BL4N150-P , BL4N150-W , BL4N60A-A , BL4N60A-D , BL4N60A-P , BL4N60A-U , BL4N65-A , BL4N65A-A .
History: SL2314
History: SL2314



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
Популярные запросы | irfz44n | irf3205 | irfz44n datasheet | 2n4401 | bc547 transistor | bd139 | 2n4401 datasheet