BL4N150-W - аналоги и даташиты транзистора

 

BL4N150-W - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BL4N150-W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN

 Аналог (замена) для BL4N150-W

 

BL4N150-W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1176K  belling
 bl4n150-p bl4n150-a bl4n150-w bl4n150-k bl4n150-f bl4n150-b.pdf pdf_icon

BL4N150-W

BL4N150 Power MOSFET 1 Description Step-Down Converter BL4N150, the silicon N-channel Enhanced , MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Pa

Другие MOSFET... BL40N25-W , BL40N30L-F , BL40N30L-W , BL4N150-A , BL4N150-B , BL4N150-F , BL4N150-K , BL4N150-P , 2SK3568 , BL4N60A-A , BL4N60A-D , BL4N60A-P , BL4N60A-U , BL4N65-A , BL4N65A-A , BL4N65A-D , BL4N65A-P .

History: IXFT120N15P | IXFR90N30

 

 
Back to Top

 


 
.