Справочник MOSFET. BL4N150-W

 

BL4N150-W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BL4N150-W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN
 

 Аналог (замена) для BL4N150-W

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BL4N150-W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1176K  belling
 bl4n150-p bl4n150-a bl4n150-w bl4n150-k bl4n150-f bl4n150-b.pdf pdf_icon

BL4N150-W

BL4N150 Power MOSFET 1Description Step-Down Converter BL4N150, the silicon N-channel Enhanced , MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Pa

Другие MOSFET... BL40N25-W , BL40N30L-F , BL40N30L-W , BL4N150-A , BL4N150-B , BL4N150-F , BL4N150-K , BL4N150-P , 5N65 , BL4N60A-A , BL4N60A-D , BL4N60A-P , BL4N60A-U , BL4N65-A , BL4N65A-A , BL4N65A-D , BL4N65A-P .

History: FQD4N20LTM | 2SK1949S | RSJ650N10 | TSM4435CS | SI2327DS | GP2M005A060XG | IRHMS597Z60

 

 
Back to Top

 


 
.