BL4N60A-A. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BL4N60A-A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.6 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для BL4N60A-A
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
BL4N60A-A даташит
bl4n60a-p bl4n60a-a bl4n60a-u bl4n60a-d.pdf
BL4N60A Power MOSFET 1 Description Step-Down Converter BL4N60A, the silicon N-channel Enhanced , MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Pa
bl4n65-p bl4n65-a bl4n65-u bl4n65-d.pdf
BL4N65 Power MOSFET 1 Description Step-Down Converter BL4N65, the silicon N-channel Enhanced , MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Param
bl4n65a-p bl4n65a-a bl4n65a-u bl4n65a-d.pdf
BL4N65A Power MOSFET 1 Description Step-Down Converter BL4N65A, the silicon N-channel Enhanced , MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Par
Другие IGBT... BL40N30L-F, BL40N30L-W, BL4N150-A, BL4N150-B, BL4N150-F, BL4N150-K, BL4N150-P, BL4N150-W, 10N65, BL4N60A-D, BL4N60A-P, BL4N60A-U, BL4N65-A, BL4N65A-A, BL4N65A-D, BL4N65A-P, BL4N65A-U
History: TMC8N65H | IPD35N12S3L-24
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
Popular searches
irfz44n datasheet | 2n4401 | bc547 transistor | bd139 | 2n4401 datasheet | irf640 | irf840 | irf740



