Справочник MOSFET. BL4N60A-P

 

BL4N60A-P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BL4N60A-P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 17.1 nC
   trⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для BL4N60A-P

 

 

BL4N60A-P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1303K  belling
 bl4n60a-p bl4n60a-a bl4n60a-u bl4n60a-d.pdf

BL4N60A-P BL4N60A-P

BL4N60A Power MOSFET 1Description Step-Down Converter BL4N60A, the silicon N-channel Enhanced , MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Pa

 9.1. Size:999K  belling
 bl4n65-p bl4n65-a bl4n65-u bl4n65-d.pdf

BL4N60A-P BL4N60A-P

BL4N65 Power MOSFET 1Description Step-Down Converter BL4N65, the silicon N-channel Enhanced , MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Param

 9.2. Size:1112K  belling
 bl4n65a-p bl4n65a-a bl4n65a-u bl4n65a-d.pdf

BL4N60A-P BL4N60A-P

BL4N65A Power MOSFET 1Description Step-Down Converter BL4N65A, the silicon N-channel Enhanced , MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Par

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top