BL4N80A-P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BL4N80A-P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 117 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15.3 nC
trⓘ - Время нарастания: 68 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.3 Ohm
Тип корпуса: TO-220
BL4N80A-P Datasheet (PDF)
bl4n80a-p bl4n80a-a bl4n80a-u bl4n80a-d.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
BL4N80A Power MOSFET 1Description Step-Down Converter BL4N80A, the silicon N-channel Enhanced , MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Pa
bl4n80-p bl4n80-a bl4n80-u bl4n80-d.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
BL4N80 Power MOSFET Power MOSFETPower MOSFETPower MOSFET1 Description BL4N80, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications
bl4n80k-p bl4n80k-a bl4n80k-u bl4n80k-d.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
BL4N80K Power MOSFET 1Description Step-Down Converter BL4N80K, the silicon N-channel Enhanced , MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Pa
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
![BL4N80A-P](https://alltransistors.com/images/us.png)
![BL4N80A-P](https://alltransistors.com/images/es.png)
![BL4N80A-P](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100