Справочник MOSFET. BL4N80K-D

 

BL4N80K-D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BL4N80K-D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 17 nC
   trⓘ - Время нарастания: 13.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 53 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BL4N80K-D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:787K  belling
 bl4n80k-p bl4n80k-a bl4n80k-u bl4n80k-d.pdf pdf_icon

BL4N80K-D

BL4N80K Power MOSFET 1Description Step-Down Converter BL4N80K, the silicon N-channel Enhanced , MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Pa

 8.1. Size:1178K  belling
 bl4n80a-p bl4n80a-a bl4n80a-u bl4n80a-d.pdf pdf_icon

BL4N80K-D

BL4N80A Power MOSFET 1Description Step-Down Converter BL4N80A, the silicon N-channel Enhanced , MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Pa

 8.2. Size:661K  belling
 bl4n80-p bl4n80-a bl4n80-u bl4n80-d.pdf pdf_icon

BL4N80K-D

BL4N80 Power MOSFET Power MOSFETPower MOSFETPower MOSFET1 Description BL4N80, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.