Справочник MOSFET. BL7N65A-P

 

BL7N65A-P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BL7N65A-P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 252 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 22.3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для BL7N65A-P

 

 

BL7N65A-P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:600K  belling
 bl7n65a-p bl7n65a-a bl7n65a-u bl7n65a-d.pdf

BL7N65A-P BL7N65A-P

BL7N65A Power MOSFET Power MOSFETPower MOSFETPower MOSFET1Description BL7N65A, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose application

 8.1. Size:600K  belling
 bl7n65b-p bl7n65b-a bl7n65b-u bl7n65b-d.pdf

BL7N65A-P BL7N65A-P

BL7N65B Power MOSFET Power MOSFETPower MOSFETPower MOSFET1Description BL7N65B, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose application

 9.1. Size:598K  belling
 bl7n60a-p bl7n60a-a bl7n60a-u bl7n60a-d.pdf

BL7N65A-P BL7N65A-P

BL7N60A Power MOSFET Power MOSFETPower MOSFETPower MOSFET1Description BL7N60A, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose application

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top