BL7N80-I. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BL7N80-I

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 145 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 118 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm

Тип корпуса: TO-262

Аналог (замена) для BL7N80-I

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BL7N80-I даташит

 ..1. Size:585K  belling
 bl7n80-p bl7n80-a bl7n80-w bl7n80-i bl7n80-b.pdf pdf_icon

BL7N80-I

BL7N80 Power MOSFET Power MOSFET Power MOSFET Power MOSFET 1 Description BL7N80, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose application

Другие IGBT... BL7N70A-D, BL7N70A-P, BL7N70A-U, BL7N70-D, BL7N70-P, BL7N70-U, BL7N80-A, BL7N80-B, K3569, BL7N80-P, BL7N80-W, BL80N20-F, BL80N20L-F, BL80N20L-W, BL80N20-W, BL8N100-A, BL8N100-F