Справочник MOSFET. BL80N20-F

 

BL80N20-F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BL80N20-F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 390 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 968 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для BL80N20-F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BL80N20-F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:507K  belling
 bl80n20-w bl80n20-f.pdf pdf_icon

BL80N20-F

BL80N20 Power MOSFET Power MOSFETPower MOSFETPower MOSFET 1 Description BL80N20, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applicati

 7.1. Size:738K  belling
 bl80n20l-w bl80n20l-f.pdf pdf_icon

BL80N20-F

BL80N20L Power MOSFET 1Description Step-Down Converter BL80N20L, the silicon N-channel , Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS

Другие MOSFET... BL7N70-D , BL7N70-P , BL7N70-U , BL7N80-A , BL7N80-B , BL7N80-I , BL7N80-P , BL7N80-W , AON7410 , BL80N20L-F , BL80N20L-W , BL80N20-W , BL8N100-A , BL8N100-F , BL8N100-P , BL8N100-W , BL8N50-A .

History: SED3032G | CS10N60A8HD | AP9435GP-HF | FDP8N50NZU | NTMFS4939NT1G | RS1G120MN | TPB70R950C

 

 
Back to Top

 


 
.