BL80N20-F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BL80N20-F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 390 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 968 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для BL80N20-F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BL80N20-F даташит

 ..1. Size:507K  belling
 bl80n20-w bl80n20-f.pdf pdf_icon

BL80N20-F

BL80N20 Power MOSFET Power MOSFET Power MOSFET Power MOSFET 1 Description BL80N20, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applicati

 7.1. Size:738K  belling
 bl80n20l-w bl80n20l-f.pdf pdf_icon

BL80N20-F

BL80N20L Power MOSFET 1 Description Step-Down Converter BL80N20L, the silicon N-channel , Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS

Другие IGBT... BL7N70-D, BL7N70-P, BL7N70-U, BL7N80-A, BL7N80-B, BL7N80-I, BL7N80-P, BL7N80-W, SPP20N60C3, BL80N20L-F, BL80N20L-W, BL80N20-W, BL8N100-A, BL8N100-F, BL8N100-P, BL8N100-W, BL8N50-A