Справочник MOSFET. BL8N50-A

 

BL8N50-A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BL8N50-A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 112 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.88 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для BL8N50-A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BL8N50-A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1034K  belling
 bl8n50-p bl8n50-a bl8n50-d bl8n50-i bl8n50-u.pdf pdf_icon

BL8N50-A

BL8N50 Power MOSFET 1Description Step-Down Converter BL8N50, the silicon N-channel Enhanced , MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Param

Другие MOSFET... BL80N20-F , BL80N20L-F , BL80N20L-W , BL80N20-W , BL8N100-A , BL8N100-F , BL8N100-P , BL8N100-W , AON7506 , BL8N50-D , BL8N50-I , BL8N50-P , BL8N50-U , BL8N60-A , BL8N60-D , BL8N60-P , BL8N60-U .

History: HUFA75337G3

 

 
Back to Top

 


 
.