Справочник MOSFET. BL9N50-U

 

BL9N50-U Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BL9N50-U
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.72 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BL9N50-U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:605K  belling
 bl9n50-p bl9n50-a bl9n50-u bl9n50-d.pdf pdf_icon

BL9N50-U

BL9N50 Power MOSFET Power MOSFETPower MOSFETPower MOSFET1Description BL9N50, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications.

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: SST70R650S2 | RU1HL8L | TSM4946DCS | KRF7703 | UPA1770 | IXTH10N60 | FDMC86160

 

 
Back to Top

 


 
.