Справочник MOSFET. BL9N90-F

 

BL9N90-F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BL9N90-F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 103 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для BL9N90-F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BL9N90-F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:558K  belling
 bl9n90-a bl9n90-w bl9n90-f.pdf pdf_icon

BL9N90-F

BL9N90 Power MOSFET Power MOSFETPower MOSFETPower MOSFET1 Description BL9N90, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced MOSFET technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications

Другие MOSFET... BL9N20-D , BL9N20-P , BL9N20-U , BL9N50-A , BL9N50-D , BL9N50-P , BL9N50-U , BL9N90-A , 75N75 , BL9N90-W , BLC75N120-BG , BLC75N120-F , BLC75N120-Z , BLM03N03-D , BLM04N06-B , BLM04N06-P , BLM04N08-B .

History: OSG60R108FZF | SWP100R10VT | OSG55R580PF | 15N10-TO251 | IRF3709ZCLPBF | IXFP90N20X3 | TK17A65U

 

 
Back to Top

 


 
.