Справочник MOSFET. BLM04N08-B

 

BLM04N08-B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BLM04N08-B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 270 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для BLM04N08-B

 

 

BLM04N08-B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:829K  belling
 blm04n08-p blm04n08-b.pdf

BLM04N08-B BLM04N08-B

Green Product BLM04N08 80V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM04N08 uses advanced trench technology to provide V = 80V,I = 200A DS Dexcellent R , low gate charge. It can be used in a wide DS(ON)R

 7.1. Size:1138K  belling
 blm04n06-p blm04n06-b.pdf

BLM04N08-B BLM04N08-B

Green Product BLM04N06 60V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM04N06 uses advanced trench technology to provide V = 60V,I = 150A DS Dexcellent R , low gate charge. It can be used in a wide DS(ON)R

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IPB015N04N

 

 
Back to Top