Справочник MOSFET. BLM08N10-P

 

BLM08N10-P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BLM08N10-P
   Маркировка: M08N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 211 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 162 nC
   trⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для BLM08N10-P

 

 

BLM08N10-P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1177K  belling
 blm08n10-p blm08n10-b.pdf

BLM08N10-P BLM08N10-P

Green Product BLM08N10 100V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM08N10 uses advanced trench technology to provide V = 100V,I = 110A DS Dexcellent R , low gate charge. It can be used in a wide R

 8.1. Size:1122K  belling
 blm08n06-p blm08n06-d blm08n06-e.pdf

BLM08N10-P BLM08N10-P

Green Product BLM08N06 60V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM08N06 uses advanced trench technology to provide V = 60V,I = 80A DS Dexcellent R , low gate charge. It can be used in a wide R

 8.2. Size:675K  belling
 blm08n68-p.pdf

BLM08N10-P BLM08N10-P

Green Product BLM08N68 68V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM08N68 uses advanced trench technology to provide V = 68V,I = 90A DS Dexcellent R , low gate charge. It can be used in a wide R

 9.1. Size:1827K  belling
 blm08p02-r blm08p02-e.pdf

BLM08N10-P BLM08N10-P

Green Product BLM08P02 30V P-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM08P02 uses advanced trench technology to provide V = -20V,I = -40A (PDFN3.3*3.3) DS Dexcellent R , low gate charge. It can be used in a wide DS(ON) I = -25A (SOP8) Dvariety of applications. R

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 7N60 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

 

 
Back to Top