Справочник MOSFET. BLM12N08-B

 

BLM12N08-B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BLM12N08-B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для BLM12N08-B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLM12N08-B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1301K  belling
 blm12n08-p blm12n08-d blm12n08-b.pdf pdf_icon

BLM12N08-B

Green Product BLM12N08 80V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM12N08 uses advanced trench technology to provide V = 80V,I = 70A DS Dexcellent R , low gate charge. It can be used in a wide R

 9.1. Size:1164K  belling
 blm12p03-r.pdf pdf_icon

BLM12N08-B

Pb Free Product BLM12P03 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDESCRIPTION GThe BLM12P03 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and operation with gate DS(ON)Svoltages as low as 4.5V. Schematic diagram GENERAL FEATURES V = -30V,I = -20A DS DR

Другие MOSFET... BLM08N10-P , BLM08N68-P , BLM08P02-E , BLM08P02-R , BLM10P03-D , BLM10P03-E , BLM10P03-Q , BLM10P03-R , BS170 , BLM12N08-D , BLM12N08-P , BLM12P03-R , BLM14N08-D , BLM14N08-P , BLM16N10-D , BLM16N10-P , BLM22N10-D .

History: SM6F03NSU | AFN1443

 

 
Back to Top

 


 
.