Справочник MOSFET. BLM12N08-B

 

BLM12N08-B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BLM12N08-B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BLM12N08-B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1301K  belling
 blm12n08-p blm12n08-d blm12n08-b.pdf pdf_icon

BLM12N08-B

Green Product BLM12N08 80V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM12N08 uses advanced trench technology to provide V = 80V,I = 70A DS Dexcellent R , low gate charge. It can be used in a wide R

 9.1. Size:1164K  belling
 blm12p03-r.pdf pdf_icon

BLM12N08-B

Pb Free Product BLM12P03 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDESCRIPTION GThe BLM12P03 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and operation with gate DS(ON)Svoltages as low as 4.5V. Schematic diagram GENERAL FEATURES V = -30V,I = -20A DS DR

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: 2N6802SM | APT50M75B2LLG | BLP023N10-B | OM1N100ST | HM4440 | APT10050B2VR | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.