BLP03N10-P - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

BLP03N10-P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: BLP03N10-P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 131 nC
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1130 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для BLP03N10-P

BLP03N10-P Datasheet (PDF)

..1. Size:963K belling
blp03n10-b blp03n10-p.pdf

BLP03N10 MOSFET Step-Down Converter , 1Description BLP03N10, the N-channel Enhanced Power MOSFETs, is obtained by advanced double trench technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. This is suitable device for BMS and high current switching applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 100

5.1. Size:1099K belling
blp03n10-ba blp03n10-t.pdf

5.2. Size:959K belling
blp03n10-f.pdf

8.1. Size:967K belling
blp03n08-f.pdf

BLP03N08 MOSFET Step-Down Converter , 1Description BLP03N08, the N-channel Enhanced Power MOSFETs, is obtained by advanced double trench technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. This is suitable device for BMS and high current switching applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 85 V

8.2. Size:1099K belling
blp03n08-ba blp03n08-t.pdf