BLP075N10G-B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLP075N10G-B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 55 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 841 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для BLP075N10G-B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLP075N10G-B даташит

 ..1. Size:1003K  belling
 blp075n10g-p blp075n10g-b.pdf pdf_icon

BLP075N10G-B

BLP075N10G MOSFET Step-Down Converter , 1 Description BLP075N10G, the N-channel Enhanced Power MOSFETs, is obtained by advanced double trench technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. This is suitable device for Synchronous rectification and high speed switching applications. KEY CHARACTERISTICS Param

Другие IGBT... BLP065N08G-P, BLP065N08G-U, BLP065N10GL-B, BLP065N10GL-D, BLP065N10GL-P, BLP065N10GL-Q, BLP06N08G-B, BLP06N08G-P, AOD4184A, BLP075N10G-P, BLP08N10G-B, BLP08N10G-D, BLP08N10G-P, BLP08N10G-Q, BLP10N20J-B, BLP10N20J-P, BLP12N10G-B