BLS70R180-B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BLS70R180-B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 43 nC
trⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 990 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для BLS70R180-B
BLS70R180-B Datasheet (PDF)
bls70r180-p bls70r180-a bls70r180-i bls70r180-b bls70r180-w.pdf
BLS70R180 Power MOSFET Power MOSFETPower MOSFETPower MOSFET1 Description BLS70R180, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced Super Junction technology which reduce the conduction loss, improve switching performance. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTI
bls70r600-p bls70r600-a bls70r600-u bls70r600-d.pdf
BLS70R600 Power MOSFET Power MOSFETPower MOSFETPower MOSFET1 Description BLS70R600, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced Super Junction technology which reduce the conduction loss, improve switching performance. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTI
bls70r420-p bls70r420-a bls70r420-u bls70r420-d bls70r420-b.pdf
BLS70R420 Power MOSFET Power MOSFETPower MOSFETPower MOSFET1 Description BLS70R420, the silicon N-channel Enhanced MOSFETs, is obtained by advanced Super Junction technology which reduce the conduction loss, improve switching performance. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTI
bls70r900-d.pdf
BLS70R900 - Power MOSFET 1Description Step-Down Converter BLS70R900, the silicon N-channel Enhanced , MOSFETs, is obtained by advanced Super Junction technology which reduce the conduction loss, improve switching performance. The transistor is suitable device for SMPS, high speed switching and general purpose applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100