MPSH70M290 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MPSH70M290
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.29 Ohm
Тип корпуса: TO-262
Аналог (замена) для MPSH70M290
MPSH70M290 Datasheet (PDF)
mpsa70m290 mpsp70m290 mpsh70m290 mpsc70m290.pdf

MPSA70M290,MPSP70M290,MPSC70M290,MPSH70M290FEATURES APPLICATIONS BVDSS=700V, ID=15A Switch Mode Power Supply (SMPS)RDS(on):0.29(Max)@VGS=10V Uninterruptible Power Supply (UPS)Very low FOM RDS(on)Qg Power Factor Correction (PFC) 100% avalanche tested RoHS compliantTO-262TO-220F TO-263TO-220Device Marking and Package InformationOrdering code
Другие MOSFET... MPSA65M830B , MPSA65M990 , MPSP65M990 , MPSU65M990 , MPSD65M990 , MPSA70M200CFD , MPSA70M290 , MPSP70M290 , 4435 , MPSC70M290 , MPSA70M300CFD , MPSA80M250B , MPSA80M380B , MPSA80M670B , MPSA80M850B , MPSC60M160CFD , MPSC70M360B .
History: SRC65R100B | VBM2610N | DMN62D0LFD | LND150N3 | SUP90N03-03 | VSD050P10MS | NVB5860N
History: SRC65R100B | VBM2610N | DMN62D0LFD | LND150N3 | SUP90N03-03 | VSD050P10MS | NVB5860N



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2n2369a | 2sc733 | a933 transistor | d209l | irfb4321 | 2n333 | c3852 | irfp140