MPSW65M065. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MPSW65M065

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 391 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для MPSW65M065

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPSW65M065 даташит

 ..1. Size:4748K  cn marching-power
 mpsw65m065.pdf pdf_icon

MPSW65M065

MPSW65M065 650V Super-Junction Power MOSFET FEATURES BV DSS=650 V, I D=55A RDS(on) @ 65m (Max) V GS=10V Very low FOM RDS(on) Qg 100% avalanche tested RoHS compliant APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking

 6.1. Size:1042K  cn marching-power
 mpsw65m045b.pdf pdf_icon

MPSW65M065

MPSW65M045B 650V N-Channel Super Junction MOSFET Features BV DSS=650V, I D =65A RDS(on) @ 0.045 (Max) V GS=10V Very Low FOM (RDS(on) X Qg) Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity 100% Avalanche Tested G D Built-in ESD Diode S TO-247 Application Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supp

 6.2. Size:3986K  cn marching-power
 mpsw65m046cfd.pdf pdf_icon

MPSW65M065

MPSW65M046CFD 650V Super-Junction Power MOSFET Junction Power MOSFET FEATURES BV DSS=650 V, I D=62A RDS(on) @ 0.046 (Max) V GS=10V Very low FOM RDS(on) Qg 100% avalanche tested RoHS compliant Ultra-fast body diode Very high commutation ruggdness APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Pow

 6.3. Size:1521K  cn marching-power
 mpsw65m092cfd.pdf pdf_icon

MPSW65M065

MPSW65M092CFD 650V Super-Junction Power MOSFET FEATURES BV DSS=650 V, I D=41A RDS(on) @ 0.092 (Max) V GS=10V Very low FOM RDS(on) Qg 100% avalanche tested RoHS compliant Ultra-fast body diode Very high commutation ruggdness APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (P

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MPSD70M910B, MPSU70M1K1B, MPSU70M1K5, MPSW60M043CFD, MPSW60M086CFD, MPSW60M150B, MPSW65M045B, MPSW65M046CFD, RFP50N06, MPSW65M092CFD, MPSY60M190B, MPTD50N60N, MPTO2N10, MPTO3N60, MPTP50N60N, MPVA10N65F, MPVA12N65F