MPVP20N50B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MPVP20N50B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 221 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для MPVP20N50B
MPVP20N50B Datasheet (PDF)
mpva20n50b mpvp20n50b mpvw20n50b mpvt20n50b.pdf
MPVX20N50B SeriesPower MOSFETMPSW60M041FEATURESAPPLICATIONSl BVDSS: 500V, ID=20A l Switch Mode Power Supply (SMPS)l RDS(on) : 0.3(Max) @VGS=10Vl Uninterruptible Power Supply (UPS)l Very Low FOM (RDS(on) *Qg)l Power Factor Correction (PFC)l Excellent stability and uniformityl AC to DC ConvertersDGSTO-220F TO-220 TO-247TO-3POrdering InformationType NO. Mar
mpva20n65f mpvp20n65f.pdf
MPVX20N65F SeriesPower MOSFETMPSW60M041FEATURESAPPLICATIONSl BVDSS: 650V, ID=20A l Switch Mode Power Supply (SMPS)l RDS(on) : 0.48(Max) @VGS=10Vl Uninterruptible Power Supply (UPS)l Very Low FOM (RDS(on) *Qg)l Power Factor Correction (PFC)l Excellent stability and uniformityl AC to DC ConvertersDGTO-220F STO-220Ordering InformationType NO. Marking Package
Другие MOSFET... MPTD50N60N , MPTO2N10 , MPTO3N60 , MPTP50N60N , MPVA10N65F , MPVA12N65F , MPVA13N50F , MPVA20N50B , MMIS60R580P , MPVW20N50B , MPVT20N50B , MPVA20N50F , MPVA20N65F , MPVP20N65F , MPVA2N65BK , MPVU2N65BK , MPVD2N65BK .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGMS5N50D | AGML315ME | AGMH70N90H | AGMH70N90C | AGMH70N70D | AGMH70N70C | AGMH614H | AGMH614D | AGMH614C | AGMH612D | AGMH6080H | AGMH606H | AGMH606C | AGMH605C | AGMH403A1 | AGM308MBP
Popular searches
2sd118 | 2n3403 | 2sa750 | tip117 | 2n3643 | 2sc2078 transistor equivalent | 2sc2073 | a608 transistor



