Справочник MOSFET. MPVD4N70F

 

MPVD4N70F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MPVD4N70F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 47 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для MPVD4N70F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPVD4N70F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1503K  cn marching-power
 mpva4n70f mpvu4n70f mpvd4n70f.pdf pdf_icon

MPVD4N70F

MPVX4N70F SeriesPower MOSFETMPSW60M041FEATURESAPPLICATIONSl BVDSS: 700V, ID=4A l Switch Mode Power Supply (SMPS)l RDS(on) : 3.5(Max) @VGS=10Vl Uninterruptible Power Supply (UPS)l Very Low FOM (RDS(on) *Qg)l Power Factor Correction (PFC)l Excellent stability and uniformityl AC to DC ConvertersDGTO-220F TO-251 TO-252SOrdering InformationType NO. Marking Pack

 8.1. Size:1056K  cn marching-power
 mpva4n65f mpvu4n65f mpvd4n65f.pdf pdf_icon

MPVD4N70F

MPVX4N65F SeriesPower MOSFETMPSW60M041FEATURESAPPLICATIONSl BVDSS: 650V, ID=4A l Switch Mode Power Supply (SMPS)l RDS(on) : 2.8(Max) @VGS=10Vl Uninterruptible Power Supply (UPS)l Very Low FOM (RDS(on) *Qg)l Power Factor Correction (PFC)l Excellent stability and uniformityl AC to DC ConvertersDGTO-220F TO-251 TO-252SOrdering InformationType NO. Marking Pack

Другие MOSFET... MPVA2N65BK , MPVU2N65BK , MPVD2N65BK , MPVA4N65F , MPVU4N65F , MPVD4N65F , MPVA4N70F , MPVU4N70F , IRF9640 , MPVA7N65F , MPVU5N50CCFD , MPVD5N50CCFD , FDM20R120AN4G , FDM30R650AN4G , FDM40R120AN4G , FDM50R120AN4G , FDM60R65AN4G .

 

 
Back to Top

 


 
.