FIR12N15LG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FIR12N15LG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.29 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для FIR12N15LG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FIR12N15LG даташит

 ..1. Size:1619K  first semi
 fir12n15lg.pdf pdf_icon

FIR12N15LG

FIR12N15LG 150V N-Channel MOSFET-D PIN Connection TO-252(D-PAK) Features Low Intrinsic Capacitances. D Excellent Switching Characteristics. Extended Safe Operating Area. G Unrivalled Gate Charge Qg= 15.5nC (Typ.). S BVDSS=150V,ID=12A RDS(on) 0.29 (Max) @VG=10V g Schematic dia ram 100% Avalanche Tested D G S Marking Diagram YAWWVT Y =

 8.1. Size:1752K  first semi
 fir12n65fg.pdf pdf_icon

FIR12N15LG

FIR12N65FG Advanced N-Ch Power MOSFET PIN Connection TO-220F Switchng Regulator Application Features High Voltage BVDSS=650V(Min.) Low Crss Crss=14.6pF(Typ.) G Low gate charge Qg=41nC(Typ.) D S Low RDS(on) RDS(on)=0.65 (Max.) D G S Marking Diagram Y = Year A = Assembly Location YAWW WW = Work Week FIR12N65F FIR12N65F = Specific Device C

 8.2. Size:3579K  first semi
 fir12n70fg.pdf pdf_icon

FIR12N15LG

FIR12N70FG 700V N-Channel MOSFET-G PIN Connection TO-220F Features Low Intrinsic Capacitances. Excellent Switching Characteristics. Extended Safe Operating Area. Unrivalled Gate Charge Qg= 44nC (Typ.). BVDSS=700V,ID=12A G DS RDS(on) 0.75 (Max) @VG=10V 100% Avalanche Tested g Schematic dia ram D G S Marking Diagram Y = Year A = Assembly Loc

 8.3. Size:1825K  first semi
 fir12n60fg.pdf pdf_icon

FIR12N15LG

FIR12N60FG Advanced N-Ch Power MOSFET PIN Connection TO-220F Switchng Regulator Application Features BVDDS=600V (Min.) Low gate charge Qg=41nC (Typ.) Low drain-source On resistance RDS(on)=0.65 (Max.) G D S 100% avalanche tested RoHS compliant device D G S Marking Diagram Y = Year A = Assembly Location WW = Work Week YAWW FIR12N60F = Specif

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FIR10N70FG, FIR10N80FG, FIR110N10PG, FIR11N40FG, FIR11N90ANG, FIR11NS65AFG, FIR11NS70AFG, FIR120N08PG, IRFB4110, FIR12N70FG, FIR12N80FG, FIR13N50FG, FIR14N50FG, FIR14N65FG, FIR14NS65AFG, FIR14NS70AFG, FIR150N06PG