FIR5N65FG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FIR5N65FG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.6 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для FIR5N65FG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FIR5N65FG даташит

 ..1. Size:3045K  first semi
 fir5n65fg.pdf pdf_icon

FIR5N65FG

FIR5N65FG 650V N-Channel MOSFET PIN Connection TO-220F Features Low Intrinsic Capacitances. Excellent Switching Characteristics. Extended Safe Operating Area. Unrivalled Gate Charge Qg=13.7nC (Typ.). BVDSS=650V,ID=4.5A G D S RDS(on) 2.6 (Max) @VG=10V 100% Avalanche Tested g Schematic dia ram D G S Marking Diagram Y = Year A = Assem

 8.1. Size:4070K  first silicon
 fir5n60fg.pdf pdf_icon

FIR5N65FG

FIR5N60FG Advanced N-Ch Power MOSFET PIN Connection TO-220F Switchng Regulator Application Features High Voltage BVDSS=600V(Min.) Low Crss Crss=9.8F(Typ.) Low gate charge Qg=12nC(Typ.) G D S Low RDS(on) RDS(on)=1.7 D G S Marking Diagram Y = Year A = Assembly Location YAWW WW = Work Week FIR5N60F FIR5N60F = Specific Device Code Absolute maxi

 8.2. Size:5898K  first semi
 fir5n60fg.pdf pdf_icon

FIR5N65FG

FIR5N60FG Advanced N-Ch Power MOSFET PIN Connection TO-220F Switchng Regulator Application Features High Voltage BVDSS=600V(Min.) Low Crss Crss=8.5F(Typ.) Low gate charge Qg=14.5nC(Typ.) G D S Low RDS(on) RDS(on)=1.8 g Schematic dia ram D G S Marking Diagram Y = Year A = Assembly Location YAWW WW = Work Week FIR5N60F FIR5N60F = Specific D

 9.1. Size:4172K  first semi
 fir5n50fg.pdf pdf_icon

FIR5N65FG

FIR5N50FG N-Channel Power MOSFET-G PIN Connection TO-220F Features Low Intrinsic Capacitances. Excellent Switching Characteristics. Extended Safe Operating Area. Unrivalled Gate Charge Qg=14nC (Typ.). BVDSS=500V,ID=5A RDS(on) 1.5 (Max) @VG=10V G DS 100% Avalanche Tested g Schematic dia ram D G S Marking Diagram Y = Year YAWWVA A = Assembl

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FIR40N15LG, FIR40N20LG, FIR4N70FG, FIR4N80FG, FIR4N90FG, FIR50N06LG, FIR50N15PG, FIR5N50FG, CS150N03A8, FIR5N80FG, FIR5NS70ALG, FIR60N04LG, FIR6N40FG, FIR6N60FG, FIR6N65FG, FIR6N70FG, FIR6N90FG