FIR8N70FG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FIR8N70FG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 22 nC
trⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
FIR8N70FG Datasheet (PDF)
fir8n70fg.pdf
FIR8N70FGPIN Connection TO-220F700V N-Channel MOSFET Features: Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Extended Safe Operating Area Unrivalled Gate Charge :Qg= 22nC (Typ.)G BVDSS=700V,ID=8AD S RDS(on) : 1.4 (Max) @VG=10V 100% Avalanche TestedgSchematic dia ram D G S Marking DiagramY = YearA = Assembly Loc
fir8n80fg.pdf
FIR8N80FGAdvanced N-Ch Power MOSFETPIN Connection TO-220FFeatures Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Extended Safe Operating Area Unrivalled Gate Charge :Qg= 27nC (Typ.) G BVDSS=800V,ID=7.5A D S RDS(on) : 1.9 (Max) @VG=10V gSchematic dia ram D 100% Avalanche Tested G S Marking DiagramY = YearA
fir8n65fg.pdf
FIR8N65FG650V N-Channel MOSFET PIN Connection TO-220FFeatures: Low Intrinsic Capacitances. Excellent Switching Characteristics. Extended Safe Operating Area. Unrivalled Gate Charge :Qg=28nC (Typ.). BVDSS=650V,ID=7AG RDS(on) : 1.30 (Max) @VG=10VD S 100% Avalanche TestedgSchematic dia ram D G S Y = YearA = Assembly LocationWW = W
fir8n60fg.pdf
FIR8N60FG600V N-Channel MOSFET PIN Connection TO-220FFeatures: Low Intrinsic Capacitances. Excellent Switching Characteristics. Extended Safe Operating Area. Unrivalled Gate Charge :Qg=25.9nC (Typ.). BVDSS=600V,ID=7A RDS(on) : 1.2 (Max) @VG=10VG D S 100% Avalanche TestedgSchematic dia ram D G S Marking DiagramY = YearA = Assembly
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100