Справочник MOSFET. DAMH220N200

 

DAMH220N200 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DAMH220N200
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 560 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 220 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 44 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 993 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0078 Ohm
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для DAMH220N200

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DAMH220N200 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:284K  dacosemi
 damh220n200.pdf pdf_icon

DAMH220N200

DAMH220N200DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETPreliminaryHB-9434Features VDSS = 200V RDS(ON)

 6.1. Size:284K  dacosemi
 damh220n150.pdf pdf_icon

DAMH220N200

DAMH220N150DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETPreliminaryHB-9434Features VDSS = 150V RDS(ON)

 9.1. Size:282K  dacosemi
 damh280n200.pdf pdf_icon

DAMH220N200

DAMH280N200DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETPreliminaryFeaturesHB-9434 VDSS = 200V RDS(ON)

Другие MOSFET... DADMH040N120Z1B , DADMH056N090Z1B , DADMI040N120Z1B , DADMI056N090Z1B , DAEMI040N120Z1B , DAEMI056N090Z1B , DAMH160N200 , DAMH220N150 , IRF540N , DAMH280N200 , DAMH300N150 , DAMH320N100 , DAMH360N150 , DAMH450N100 , DAMH50N500H , DAMH560N100 , DAMH75N500H .

 

 
Back to Top

 


 
.