DAMH280N200 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: DAMH280N200
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 800 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 280 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 56 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1328 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для DAMH280N200
DAMH280N200 Datasheet (PDF)
damh280n200.pdf
DAMH280N200DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETPreliminaryFeaturesHB-9434 VDSS = 200V RDS(ON)
damh220n200.pdf
DAMH220N200DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETPreliminaryHB-9434Features VDSS = 200V RDS(ON)
damh220n150.pdf
DAMH220N150DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETPreliminaryHB-9434Features VDSS = 150V RDS(ON)
Другие MOSFET... DADMH056N090Z1B , DADMI040N120Z1B , DADMI056N090Z1B , DAEMI040N120Z1B , DAEMI056N090Z1B , DAMH160N200 , DAMH220N150 , DAMH220N200 , 50N06 , DAMH300N150 , DAMH320N100 , DAMH360N150 , DAMH450N100 , DAMH50N500H , DAMH560N100 , DAMH75N500H , DAMI160N100 .
History: HM18N40F | CTD06N017 | AO6801E | TPCA8009-H | AUIRFB4227 | P3606HK
History: HM18N40F | CTD06N017 | AO6801E | TPCA8009-H | AUIRFB4227 | P3606HK
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
d313 transistor equivalent | 2sb827 | c5200 datasheet | 2n2614 | 2sa777 replacement | 2sc828 transistor | 2sd357 | 110n8f6 mosfet datasheet