DAMH450N100. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DAMH450N100

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 626 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 450 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 56 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2136 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0015 Ohm

Тип корпуса: MODULE

Аналог (замена) для DAMH450N100

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DAMH450N100 даташит

 ..1. Size:285K  dacosemi
 damh450n100.pdf pdf_icon

DAMH450N100

DAMH450N100 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode MOSFET HB-9434 Preliminary Features VDSS = 100V RDS(ON)

Другие IGBT... DAEMI056N090Z1B, DAMH160N200, DAMH220N150, DAMH220N200, DAMH280N200, DAMH300N150, DAMH320N100, DAMH360N150, IRF1404, DAMH50N500H, DAMH560N100, DAMH75N500H, DAMI160N100, DAMI160N200, DAMI220N150, DAMI220N200, DAMI280N200