DAMH450N100 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: DAMH450N100
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 626 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 450 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 369 nC
trⓘ - Время нарастания: 56 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 2136 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0015 Ohm
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для DAMH450N100
DAMH450N100 Datasheet (PDF)
..1. Size:285K dacosemi
damh450n100.pdf
damh450n100.pdf
DAMH450N100DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETHB-9434PreliminaryFeatures VDSS = 100V RDS(ON)
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918