Справочник MOSFET. DAMI220N150

 

DAMI220N150 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DAMI220N150
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 273 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 220 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 831 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0067 Ohm
   Тип корпуса: SOT227
 

 Аналог (замена) для DAMI220N150

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DAMI220N150 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:510K  dacosemi
 dami220n150.pdf pdf_icon

DAMI220N150

DAMI220N150DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETPreliminary SOT-227FeaturesS VDSS = 150V G RDS(ON)

 6.1. Size:511K  dacosemi
 dami220n200.pdf pdf_icon

DAMI220N150

DAMI220N200DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETPreliminarySOT-227FeaturesS VDSS = 200V G RDS(ON)

 9.1. Size:510K  dacosemi
 dami280n200.pdf pdf_icon

DAMI220N150

DAMI280N200DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETPreliminarySOT-227FeaturesS VDSS = 200V G RDS(ON)

Другие MOSFET... DAMH320N100 , DAMH360N150 , DAMH450N100 , DAMH50N500H , DAMH560N100 , DAMH75N500H , DAMI160N100 , DAMI160N200 , AON6414A , DAMI220N200 , DAMI280N200 , DAMI300N150 , DAMI320N100 , DAMI330N60 , DAMI360N150 , DAMI450N100 , DAMI500N60 .

History: STD12N05LT4 | NCEP02T10D

 

 
Back to Top

 


 
.