DAMI220N150 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: DAMI220N150
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 273 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 220 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 831 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0067 Ohm
Тип корпуса: SOT227
Аналог (замена) для DAMI220N150
DAMI220N150 Datasheet (PDF)
dami220n150.pdf

DAMI220N150DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETPreliminary SOT-227FeaturesS VDSS = 150V G RDS(ON)
dami220n200.pdf

DAMI220N200DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETPreliminarySOT-227FeaturesS VDSS = 200V G RDS(ON)
dami280n200.pdf

DAMI280N200DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETPreliminarySOT-227FeaturesS VDSS = 200V G RDS(ON)
Другие MOSFET... DAMH320N100 , DAMH360N150 , DAMH450N100 , DAMH50N500H , DAMH560N100 , DAMH75N500H , DAMI160N100 , DAMI160N200 , AON6414A , DAMI220N200 , DAMI280N200 , DAMI300N150 , DAMI320N100 , DAMI330N60 , DAMI360N150 , DAMI450N100 , DAMI500N60 .
History: DAMI660N60
History: DAMI660N60



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT028N10P | MPT023N10T | MPT012N08T | MPG90N08S | MPG90N08P | MPG80N06P | MPG60NF06P | MPG60N10P | MPG40N10P | MPG30N10P | MPG30N06P | MPG200N08S | MPG200N08P | MPG180N10S | MPG180N10P | MDT08N06D
Popular searches
bf494 transistor equivalent | 2sc458 pinout | bc183l | tip35 datasheet | tip36c datasheet | 2sc461 | hy1906 | 2sc2238