P0260EDA - аналоги и даташиты транзистора

 

P0260EDA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: P0260EDA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.85 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для P0260EDA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P0260EDA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:168K  niko-sem
 p0260eda.pdf pdf_icon

P0260EDA

N-Channel Enhancement Mode P0260EDANIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-FreeDPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE 2. DRAIN G600V 4.85 2A 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS 600 VGate-Source Voltage VGS 30 VTC = 25 C

 7.1. Size:771K  unikc
 p0260ed.pdf pdf_icon

P0260EDA

P0260EDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID4.4 @VGS = 10V600V 2ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 600VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C2IDContinuous Drain Current2TC = 100 C1.4AIDM8Pulsed Drain Current1

 8.1. Size:780K  unikc
 p0260etf.pdf pdf_icon

P0260EDA

P0260ETFN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID4.3 @VGS = 10V600V 2ATO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 600VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C2IDContinuous Drain Current2TC = 100 C1.3AIDM8Pulsed Drain Curre

 8.2. Size:806K  unikc
 p0260ei.pdf pdf_icon

P0260EDA

P0260EIN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID4.4 @VGS = 10V600V 2ATO-251ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 600VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C2IDContinuous Drain Current2TC = 100 C1.4AIDM8Pulsed Drain Current1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... DAMI360N150 , DAMI450N100 , DAMI500N60 , DAMI560N100 , DAMI660N60 , DAMIA1100N100 , P0165ED , P0165EI , 12N60 , P0260EIA , P0306BT , P0406AK , P0460EDA , P0470ED , P0470ETF , P0470JD , P0508AT .

History: DMG1023UV | HGD098N10SL | BUK9Y11-30B | SIHFP140 | KF7N50D | SM4365NAKP | HM3400C

 

 
Back to Top

 


 
.