P0460EDA - аналоги и даташиты транзистора

 

P0460EDA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: P0460EDA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для P0460EDA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P0460EDA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:214K  niko-sem
 p0460eda.pdf pdf_icon

P0460EDA

N-Channel Enhancement Mode P0460EDA NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE 2. DRAIN G600V 2.5 4A 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 600 V Gate-Source Voltage VGS 30 V TC = 2

 7.1. Size:809K  unikc
 p0460ed.pdf pdf_icon

P0460EDA

P0460EDN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2.3 @VGS = 10V600V 4ATO-252ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 600VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C4IDContinuous Drain Current2TC = 100 C2.5AIDM20Pulsed Drain Current

 8.1. Size:445K  unikc
 p0460eis.pdf pdf_icon

P0460EDA

P0460EISN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2.3 @VGS = 10V600V 4A1.GATE2.DRAIN3.SOURCETO-251(IS)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 600VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C4IDContinuous Drain Current2TC = 100 C2.5

 8.2. Size:470K  unikc
 p0460etf.pdf pdf_icon

P0460EDA

P0460ETFN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2.3 @VGS = 10V600V 4ATO-220F 100% UIS testedABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 600VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C4IDContinuous Drain Current2TC = 100 C2.5AIDM20

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... DAMI660N60 , DAMIA1100N100 , P0165ED , P0165EI , P0260EDA , P0260EIA , P0306BT , P0406AK , 5N60 , P0470ED , P0470ETF , P0470JD , P0508AT , P0610BT , P0620ED , P0660ED , P0660EI .

History: 2SJ412 | SM1A15NSF

 

 
Back to Top

 


 
.