P0470ED datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P0470ED  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 61 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.9 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для P0470ED

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P0470ED даташит

 ..1. Size:192K  niko-sem
 p0470ed.pdf pdf_icon

P0470ED

P0470ED N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 1. GATE 700V 2.9 4A 2. DRAIN 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 700 V Gate-Source Voltage VGS 30 V TC = 25

 8.1. Size:257K  niko-sem
 p0470etf.pdf pdf_icon

P0470ED

P0470ETF NIKO-SEM N-Channel Enhancement Mode TO-220F Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE 2. DRAIN G 700V 2.8 4A 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUN RATINGS(TA=25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 700 V Gate-Source Voltage VGS 30 V TC = 25

 9.1. Size:530K  unikc
 p0470atf-s.pdf pdf_icon

P0470ED

P0470ATF / P0470ATFS N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 2.8 @VGS = 10V 700V 4A TO-220F TO-220FS 100% UIS Tested ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 700 V VGS Gate-Source Voltage 30 TC = 25 C 4 ID Continuous Drain Current2 TC = 100

 9.2. Size:323K  niko-sem
 p0470jd.pdf pdf_icon

P0470ED

N-Channel Enhancement Mode P0470JD NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-252 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D V(BR)DSS RDS(ON) ID 700V 1.63 4A 1. GATE 2. DRAIN G 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 700 V Gate-Source Voltage VGS 30 V TC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DAMIA1100N100, P0165ED, P0165EI, P0260EDA, P0260EIA, P0306BT, P0406AK, P0460EDA, AO3401, P0470ETF, P0470JD, P0508AT, P0610BT, P0620ED, P0660ED, P0660EI, P0706BD