P0470JD - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: P0470JD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.63 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для P0470JD
P0470JD Datasheet (PDF)
p0470jd.pdf
N-Channel Enhancement Mode P0470JD NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-252 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY DV(BR)DSS RDS(ON) ID 700V 1.63 4A 1. GATE 2. DRAIN G 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 700 V Gate-Source Voltage VGS 30 V TC
p0470atf-s.pdf
P0470ATF / P0470ATFSN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID2.8 @VGS = 10V700V 4ATO-220F TO-220FS 100% UIS TestedABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 700VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C4IDContinuous Drain Current2TC = 100
p0470etf.pdf
P0470ETF NIKO-SEM N-Channel Enhancement Mode TO-220F Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE 2. DRAIN G700V 2.8 4A 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUN RATINGS(TA=25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 700 V Gate-Source Voltage VGS 30 V TC = 25
p0470ed.pdf
P0470ED N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 1. GATE 700V 2.9 4A 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 700 V Gate-Source Voltage VGS 30 V TC = 25
Другие MOSFET... P0165EI , P0260EDA , P0260EIA , P0306BT , P0406AK , P0460EDA , P0470ED , P0470ETF , IRFP260 , P0508AT , P0610BT , P0620ED , P0660ED , P0660EI , P0706BD , P0706BK , P0706BV .
History: UDN302 | MTP1406L3 | MTP1406M3 | FQPF6N70 | UTT60N10 | 12N10L-TA3-T
History: UDN302 | MTP1406L3 | MTP1406M3 | FQPF6N70 | UTT60N10 | 12N10L-TA3-T
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
hrf3205 | c2837 datasheet | 2n414 | c3998 | c4468 datasheet | 2sc2603 | jcs50n20wt | 2sa1360





