Справочник MOSFET. P0508AT

 

P0508AT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: P0508AT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 113 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 94 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 851 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для P0508AT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P0508AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  niko-sem
 p0508at.pdf pdf_icon

P0508AT

N-Channel Enhancement Mode P0508ATNIKO-SEM TO-220 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-FreeDPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G80V 5.5m 94A 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS 80 VGate-Source Voltage VGS 25 VTC = 25 C 94

Другие MOSFET... P0260EDA , P0260EIA , P0306BT , P0406AK , P0460EDA , P0470ED , P0470ETF , P0470JD , 2SK3568 , P0610BT , P0620ED , P0660ED , P0660EI , P0706BD , P0706BK , P0706BV , P0765JD .

History: FQU2N60CTU | DMP2170U | FQD3P20TF | AM4438N | HGS095NE4SL | CEB6086L | HGS098N10AL

 

 
Back to Top

 


 
.